سمینار تئوری تکنولوژی نیمه هادی ها (نفوذ ناخالصی )

دسته بندي : فنی و مهندسی » برق، الکترونیک، مخابرات
سمینار تئوری تکنولوژی نیمه هادی ها (نفوذ ناخالصی )
جزئیات و دریافت

سمینار قابل ارائه در کارشناسی ارشد در مورد درس تئوری تکنولوژی نیمه هادی ها قسمت نفوذ یا دیفیوژن می باشد .
این فایل همچنین نمای تمامی قسمت های مرحله ساخت ادوات نیمه هادی (قسمت نفوذ ناخالصی) را به ما می دهد .

مرحله های دیگر ساخت نیمه هادی در این سایت موجود می باشد.
قسمتی از متن پاورپوینت :
فرایند نفوذ دارای دو مرحله می باشد.

1.نشست اولیه
هدف از نشست اولیه قرار دادن تعداد مشخصی از اتم های ناخالصی درسطح نیمه هادی است

2.نفوذ ثانویه(نفوذ عمیق)
در مرحله نشست اولیه تراکم سطحی بالا بوده و عمق نفوذ نیز خیلی کم بوده
کاهی اوقات درعمل لازم است عمق نفوذ بیشتر شده وتراکم سطحی کمترازقابلیت حل جامدات باشد
برای رسیدن به این هدف بعد ار نشست اولیه،مرحله نفوذ ثانویه انجام می شود
دسته بندی: فنی و مهندسی » برق، الکترونیک، مخابرات

تعداد مشاهده: 4157 مشاهده

فرمت فایل دانلودی:.rar

فرمت فایل اصلی: ppt

تعداد صفحات: 28

حجم فایل:8,536 کیلوبایت

 قیمت: 20,000 تومان
پس از پرداخت، لینک دانلود فایل برای شما نشان داده می شود.   پرداخت و دریافت فایل
  • راهنمای استفاده:
    فایل زیپ را اکسترکت کرده و از پاور پوینت استفاده کنید .

  • محتوای فایل دانلودی:
    فایل زیپ شامل سمینار نفوذ به صورت پاور پوینت

برچسب ها: نفوذدیفیوژنئوری تکنولوژی نیمه هادی هانفوذ ناخالصیتئوری نیمه هادیتکنولوژی نیمه هادیادوات نیمه هادینیمه هادیفرایند نفوذ Sio2نفوذ ثانویهروش پروپ چهار نقطه ایروش ون در پوضرایب نفوذاکبر ادیبیفرایند نفوذفیزیک الکترونیک