ترجمه مقاله IEEE در مورد یک ترانزیستور جدید با قابلیت کنترل بهره جریان

دسته بندي : فنی و مهندسی » برق، الکترونیک، مخابرات
چکیده
در این مقاله یک ساختار جدید برای ترانزیستور دوقطبی پیوندی براساس تکنولوژی SOI طراحی شده است. این ساختار یک پین اضافی به عنوان گیت دارد .توسط اعمال یک ولتاژ به گیت ، پهنای موثر بیس کنترل می شود ، و این قابلیت باعث کنترل بهره ترانزیستور می شود .این ترانزیستور به طور وسیع با شبیه سازها بررسی شده است . تمام شبیه سازی ها با نرم افزار Silvaco انجام شده است که نشان دهنده افزایش متغیرهای بهره جریان تا ۱۰ برابر می باشد . بهره جریان ترانزیستور بدون هیچ ولتاژ گیتی برابر با ۲۰۰ می باشد ولی با اعمال ولتاژ به گیت به ترانزیستور تا ۲۰۰۰ افزایش می یابد . این قابلیت کاربردهای بالقوه ای مانند میکسرها و بهره های جریان با عملکرد خوبی به ما می دهد . در این مقاله سطح توزیع نفوذ طوری طراحی شده است که به بهترین بهره جریان و هدایت خروجی منجر شود .

کلمه های کلیدی : ترانزیستور دوقطبی ، تکنولوژی SOI ، تاثیر میدانی ، کنترل بهره جریان
دسته بندی: فنی و مهندسی » برق، الکترونیک، مخابرات

تعداد مشاهده: 2796 مشاهده

فرمت فایل دانلودی:.rar

فرمت فایل اصلی: pdf & word

تعداد صفحات: 9

حجم فایل:1,510 کیلوبایت

 قیمت: 30,000 تومان
پس از پرداخت، لینک دانلود فایل برای شما نشان داده می شود.   پرداخت و دریافت فایل
  • راهنمای استفاده:
    مخصوص دانشجویان ارشد که برای پیشبرد اهداف و پروژه های خود استفاده میکنند و برای دانشجویانی که میخواهند به عنوان پروژه به استاد خود ترجمه تحویل دهند .

  • محتوای فایل دانلودی:
    ترجمه یک مقاله از IEEE به همراه اصل مقاله باکیفیت بالا و درج عکس های مقاله در جای خود