محتوای فایل دانلودی:
ايجاد واروني انبوهي(inverse population)
روش هاي ايجاد واروني انبوهي
دمش اپتيکي
دمش الکتريکي
باز ترکيب تابشي نتيجه آن توليد فوتون است.
باز ترکيب غير تابشي نتيجه آن اتلاف انرژي بصورت گرما(فونون) است.
گاف مستقيم GaAs در اين مواد توليد فوتون داريم.
گاف غير مستقيم Ge,Si در اين مواد توليد فونون داريم.
در ساختار DFBبه سبب وجود سطوح پريوديک اصل بازتاب براگ براي فوتون توليدي اتفاق مي افتد. البته با توجه به شکل ناحيه موجدار (Grating) تنها يکي از طول موجها تقويت مي شود. در اين ساختار تنها قسمتي از ناحيه فعال سينوسي شکل است.
درساختار DBR نيز اصل براگ اتفاق مي افتد. بااين تفاوت که دراين ساختار ناحيه سينوسي يک لايه جدا وچسبيده به ناحيه فعال است.
در ساختار تخت يکنواخت به دليل يکنواختي محيط اطراف لايه فعال اصل بازتاب کلي براي فوتون توليد شده اتفاق نمي افتد؛ بنابراين چگالي جريان آستانه بالايي دارند.
در ساختار چندگانه اصل بازتاب کلي براي فوتون توليد شده رخ ميدهد.(به دليل وجود لايه هاي مختلف ضرايب شکست متفاوت است.)